型号: HGT1S7N60A4DS
功能描述: Fairchild Semiconductor/分立半导体产品
制造商: Fairchild Semiconductor
标准包装: 50
类别: 分立半导体产品
家庭: IGBT - 单路
系列: -
包装: 管件
IGBT 类型: -
电压 - 集射极击穿(最大值): 600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 34A
脉冲电流 - 集电极 (Icm): 56A
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on): 2.7V @ 15V,7A
功率 - 最大值: 125W
开关能量: 55µJ(开),60µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 37nC
25°C 时 Td(开/关)值: 11ns/100ns
测试条件: 390V,7A,25 欧姆,15V
反向恢复时间(trr): 34ns
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: TO-263AB
联系人:蔡永记
电话:18617195508
联系人:蔡小姐
电话:18129819897
联系人:Alien
联系人:李先生
电话:17080955875
联系人:肖瑶,树平
电话:13926529829
联系人:陈泽辉
电话:13360071553
联系人:郑小姐
电话:18188616613
联系人:刘远威
电话:13528851884
联系人:冯生
电话:83031976
Q Q:
联系人:朱
电话:13392861650