型号: HGTD1N120CNS
功能描述: IGBT 晶体管
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V: 1200 V
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
在25 C的连续集电极电流: 6.2 A
最大工作温度: + 150 C
封装 / 箱体: TO-252-3
商标: Fairchild Semiconductor
集电极最大连续电流 Ic: 6.2 A
最小工作温度: - 55 C
安装风格: SMD/SMT
系列: HGTD1N120
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：小柯
电话：13332931905
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：18823802745
Q Q:
联系人：陈经理
电话：13381306183
Q Q:
联系人：小林
电话：15820798353
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：陈先生
电话：13428777359
Q Q:
联系人：黄先生
电话：13714809558
Q Q:
