型号: HGTG10N120BND_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.45 V
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
在25 C的连续集电极电流: 35 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 250 nA
功率耗散: 298 W
最大工作温度: + 150 C
封装 / 箱体: TO-247-3
封装: Tube
集电极最大连续电流 Ic: 35 A
最小工作温度: - 55 C
安装风格: Through Hole
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