型号:  HGTG18N120BND

功能描述:  IGBT 晶体管 54A 1200V N-Ch w/Ant Parallel Hyprfst Dde

制造商:  ON Semiconductor / Fairchild

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  IGBT 晶体管

RoHS:  是

技术:  Si

封装 / 箱体:  TO-247-3

安装风格:  Through Hole

配置:  Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:  1200 V

集电极—射极饱和电压:  2.45 V

栅极/发射极最大电压:  20 V

在25 C的连续集电极电流:  54 A

Pd-功率耗散:  390 W

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

系列:  HGTG18N120BND

封装:  Tube

集电极最大连续电流 Ic:  54 A

高度:  20.82 mm

长度:  15.87 mm

宽度:  4.82 mm

商标:  ON Semiconductor / Fairchild

集电极连续电流:  54 A

栅极—射极漏泄电流:  +/- 250 nA

产品类型:  IGBT Transistors

工厂包装数量:  450

子类别:  IGBTs

零件号别名:  HGTG18N120BND_NL

单位重量:  6.390 g