型号:  HGTG30N60C3D

功能描述:  IGBT 晶体管 63a 600V NCh IGBT Hyperfast anti-para

制造商:  ON Semiconductor / Fairchild

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  IGBT 晶体管

RoHS:  是

技术:  Si

封装 / 箱体:  TO-247-3

安装风格:  Through Hole

配置:  Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:  600 V

集电极—射极饱和电压:  1.5 V

栅极/发射极最大电压:  20 V

在25 C的连续集电极电流:  63 A

Pd-功率耗散:  208 W

最小工作温度:  - 40 C

最大工作温度:  + 150 C

系列:  HGTG30N60C3D

封装:  Tube

集电极最大连续电流 Ic:  63 A

高度:  20.82 mm

长度:  15.87 mm

宽度:  4.82 mm

商标:  ON Semiconductor / Fairchild

集电极连续电流:  63 A

栅极—射极漏泄电流:  +/- 100 nA

产品类型:  IGBT Transistors

工厂包装数量:  450

子类别:  IGBTs

零件号别名:  HGTG30N60C3D_NL

单位重量:  6.390 g