型号: HGTG7N60A4D_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.9 V
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
在25 C的连续集电极电流: 34 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 250 nA
功率耗散: 125 W
最大工作温度: + 150 C
封装 / 箱体: TO-247-3
封装: Tube
集电极最大连续电流 Ic: 34 A
最小工作温度: - 55 C
安装风格: Through Hole
联系人：陈生
电话：13537702078
Q Q:
联系人：高小姐
电话：15815599832
Q Q:
联系人：文小姐，米小姐，朱小姐
电话：13590238352
Q Q:
联系人：王静
电话：13261242936
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13631261606
Q Q:
联系人：郭小姐
电话：15818715186
Q Q:
联系人：陈欣
电话：13725554160
Q Q:
联系人：韩先生
电话：13510177670
Q Q:
联系人：韩冰
Q Q:
联系人：郭小姐
电话：15768119549
Q Q:
