型号: HGTP12N60C3D
功能描述: IGBT 晶体管 HGTP12N60C3D
制造商: ON Semiconductor / Fairchild
制造商: ON Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: TO-220-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.65 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 24 A
Pd-功率耗散: 104 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
系列: HGTP12N60C3D
封装: Tube
集电极最大连续电流 Ic: 24 A
高度: 9.4 mm
长度: 10.67 mm
宽度: 4.83 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流: 24 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 800
子类别: IGBTs
零件号别名: HGTP12N60C3D_NL
单位重量: 1.800 g
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