型号: HGTP7N60A4-F102
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
电压 - 集射极击穿（最大值）： 600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 34A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)： 56A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）： 2.7V @ 15V，7A
功率 - 最大值： 125W
开关能量： 55µJ（开），150µJ（关）
输入类型： 标准
栅极电荷： 60nC
25°C 时 Td（开/关）值： 11ns/100ns
测试条件： 390V，7A，25 欧姆，15V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3
供应商器件封装： TO-220-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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