型号: HIP2101EIB
功能描述:
制造商: INTERSIL
驱动配置： 半桥
通道类型： 独立式
驱动器数： 2
栅极类型： N 沟道 MOSFET
电压 - 电源： 9 V ~ 14 V
逻辑电压 - VIL，VIH： 0.8V，2.2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）： 2A，2A
输入类型： 非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）： 114V
上升/下降时间（典型值）： 10ns，10ns
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘
供应商器件封装： 8-SOIC-EP
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：吴先生
电话：13975536999
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：廖小姐
电话：13360063783
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：朱少聪
Q Q:
联系人：赵泽锋
Q Q:
联系人：昂捷
Q Q:
