型号: HIP6601CB
功能描述: MOSFET
制造商: Intersil
制造商: Intersil
产品种类: MOSFET
最大工作温度: + 85 C
Pd-功率耗散: 800 mW
封装 / 箱体: SOIC-Narrow-8
商标: Intersil
下降时间: 20 ns (Typ)
最小工作温度: 0 C
上升时间: 50 ns (Typ)
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