型号: HMC-ALH444
功能描述: 射频放大器 GaAs HEMT WBand lo Noise amp, 1 - 12 GHz
制造商: Analog Devices / Hittite
制造商: Analog Devices Inc.
产品种类: 射频放大器
RoHS: 是
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: Die
类型: RF Amplifier
技术: GaAs
工作频率: 12 GHz
P1dB - 压缩点: 19 dBm
增益: 17 dB
工作电源电压: 5 V
NF—噪声系数: 1.75 dB
测试频率: -
OIP3 - 三阶截点: 28 dBm
工作电源电流: 55 mA
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 85 C
系列: HMC-ALH444G
封装: Gel Pack
频率范围: 1 GHz to 12 GHz
商标: Analog Devices / Hittite
通道数量: 1 Channel
输入返回损失: 10 dB
产品类型: RF Amplifier
工厂包装数量: 50
子类别: Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量: 3 mg
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