型号:  HN1A01FE-GR,LF

功能描述:  Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品

制造商:  Toshiba Semiconductor and Storage

数据列表：  HN1A01FE -

标准包装：  4,000

类别：  分立半导体产品

家庭：  晶体管（BJT） - 阵列

系列：  -

包装：  带卷（TR）

晶体管类型：  2 PNP（双）

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  150mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：  50V

不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：  300mV @ 10mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）：  100nA（ICBO）

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：  200 @ 2mA，6V

功率 - 最大值：  100mW

频率 - 跃迁：  80MHz

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  SOT-563，SOT-666

供应商器件封装：  ES6

其它名称：  HN1A01FE-GR(5L,F,THN1A01FE-GR(5LFTTRHN1A01FE-GR(5LFTTR-NDHN1A01FE-GR,LF(BHN1A01FE-GRLF(BTRHN1A01FE-GRLF(BTR-NDHN1A01FE-GRLFTRHN1A01FEGRLFTRHN1A01FEGRLFTR-ND