型号:  HN1A01FU-Y(T5L,F,T

功能描述:   Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 6-Pin US T/R

制造商:  Toshiba

集电极最大直流电流：  0.15

最小直流电流增益：  120@2mA@6V

欧盟RoHS指令：  Compliant

最高工作温度：  125

最低工作温度：  -55

最大功率耗散：  200

最大基地发射极电压：  5

Maximum Transition Frequency ：  80(Min)

封装：  Tape and Reel

每个芯片的元件数：  2

最大集电极基极电压：  50

供应商封装形式：  US

最大集电极发射极电压：  50

类型：  PNP

引脚数：  6

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  150mA

晶体管类型：  2 PNP (Dual)

安装类型：  Surface Mount

频率 - 转换：  80MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  300mV @ 10mA, 100mA

电流 - 集电极截止（最大）：  100nA (ICBO)

标准包装：  3,000

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  50V

供应商设备封装：  US6

功率 - 最大：  200mW

封装/外壳：  6-TSSOP, SC-88, SOT-363

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  120 @ 2mA, 6V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  HN1A01FU-Y(T5LFT)CT

产品种类：  Transistors Bipolar - BJT

RoHS：  RoHS Compliant