型号: HN1C01FE-GR,LF
功能描述:
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
晶体管类型： 2 NPN（双）
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 150mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）： 250mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 200 @ 2mA，6V
功率 - 最大值： 100mW
频率 - 跃迁： 80MHz
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-563，SOT-666
供应商器件封装： ES6
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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