型号:  HN2A01FU-GR(TE85LF)

功能描述:   TRANSISTOR PNP US6-PLN

制造商:  Toshiba Semiconductor and Storage

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  150mA

晶体管类型：  2 PNP (Dual)

安装类型：  Surface Mount

频率 - 转换：  80MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  300mV @ 10mA, 100mA

电流 - 集电极截止（最大）：  100nA (ICBO)

标准包装：  3,000

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  50V

供应商设备封装：  US6

封装：  Tape & Reel (TR)

功率 - 最大：  200mW

封装/外壳：  6-TSSOP, SC-88, SOT-363

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  200 @ 2mA, 6V

其他名称：  HN2A01FU-GR(TE85LF)CT

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

发射极 - 基极电压VEBO：  - 5 V

集电极 - 发射极饱和电压：  - 0.1 V

晶体管极性：  PNP

最大功率耗散：  200 mW

直流集电极/增益hfe最小值：  120

直流电流增益hFE最大值：  400

增益带宽产品fT：  80 MHz

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  - 50 V

安装风格：  SMD/SMT

集电极 - 基极电压VCBO：  - 50 V

集电极最大直流电流：  - 150 mA

配置：  Dual

RoHS：  RoHS Compliant

连续集电极电流：  - 150 mA