型号:  HN3C51F-GR(TE85L,F)

功能描述:   TRANSISTOR NPN SM6 PLN

制造商:  Toshiba Semiconductor and Storage

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  100mA

晶体管类型：  2 NPN (Dual)

安装类型：  Surface Mount

频率 - 转换：  100MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  300mV @ 1mA, 10mA

电流 - 集电极截止（最大）：  100nA (ICBO)

标准包装：  3,000

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  120V

供应商设备封装：  SM6

封装：  Tape & Reel (TR)

功率 - 最大：  300mW

封装/外壳：  SC-74, SOT-457

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  200 @ 2mA, 6V

其他名称：  HN3C51F-GR(TE85LF)CT

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

发射极 - 基极电压VEBO：  5 V

集电极 - 发射极饱和电压：  0.3 V

晶体管极性：  NPN

最大功率耗散：  300 mW

直流集电极/增益hfe最小值：  200

直流电流增益hFE最大值：  700

增益带宽产品fT：  100 MHz

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  120 V

安装风格：  SMD/SMT

集电极 - 基极电压VCBO：  120 V

集电极最大直流电流：  100 mA

配置：  Dual

RoHS：  RoHS Compliant

连续集电极电流：  100 mA