型号: HN4C06J-BL(TE85L,F
功能描述:
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
晶体管类型： 2 NPN（双） 共发射极
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 120V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）： 300mV @ 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 200 @ 2mA，6V
功率 - 最大值： 300mW
频率 - 跃迁： 100MHz
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SC-74A，SOT-753
供应商器件封装： SMV
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
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