型号: HN7G09FE(TE85L,F)
功能描述: Transistors Bipolar - BJT Vceo=50V Vds=30V Ic=100mA Id=100mA
制造商: Toshiba
工厂包装数量： 4000
增益带宽产品fT： 250 MHz
产品种类： Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性： NPN
发射极 - 基极电压VEBO： 10 V
最大功率耗散： 100 mW
直流集电极/增益hfe最小值： 80
封装： Reel
集电极 - 发射极最大电压VCEO： 50 V
安装风格： SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO： 50 V
封装/外壳： ES-6
配置： Dual
RoHS： RoHS Compliant
连续集电极电流： 100 mA
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