型号:  HP8S36TB

功能描述:  MOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET

制造商:  ROHM Semiconductor

制造商:  ROHM Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  HSOP-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  27 A, 80 A

Rds On-漏源导通电阻:  6.7 mOhms, 2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.3 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V, 12 V

Qg-栅极电荷:  4.8 nC, 47 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  3 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

晶体管类型:  2 N-Channel

商标:  ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  10 S, 30 S

下降时间:  3.4 ns, 66 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  4.5 ns, 27 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  25.5 ns, 186 ns

典型接通延迟时间:  9.6 ns, 34 ns

零件号别名:  HP8S36