型号: HS8K11TB
功能描述: MOSFET 30V Nch+Nch Power MOSFET
制造商: ROHM Semiconductor
制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: HSML3030L-10
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 7 A, 11 A
Rds On-漏源导通电阻: 12.8 mOhms, 10.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V, 12 V
Qg-栅极电荷: 11.1 nC, 20.2 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2 W
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
晶体管类型: 2 N-Channel
商标: ROHM Semiconductor
下降时间: 5.1 ns, 7.5 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 10.8 ns, 15 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 26.8 ns, 47.3 ns
典型接通延迟时间: 9.4 ns, 13.6 ns
零件号别名: HS8K11
联系人:Alien
联系人:陈泽辉
电话:13360071553
联系人:连
电话:18922805453
联系人:杨先生
电话:13352985419
联系人:郑小姐
电话:18188616613
联系人:李先生
电话:17080955875
联系人:木易
电话:13352985419
联系人:何志平
电话:15307359078
联系人:张杰
电话:13699794459
联系人:颜女士
电话:0537-2331282
Q Q: