型号:  HS8K11TB

功能描述:  MOSFET 30V Nch+Nch Power MOSFET

制造商:  ROHM Semiconductor

制造商:  ROHM Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  HSML3030L-10

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  7 A, 11 A

Rds On-漏源导通电阻:  12.8 mOhms, 10.2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V, 12 V

Qg-栅极电荷:  11.1 nC, 20.2 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  2 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

晶体管类型:  2 N-Channel

商标:  ROHM Semiconductor

下降时间:  5.1 ns, 7.5 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  10.8 ns, 15 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  26.8 ns, 47.3 ns

典型接通延迟时间:  9.4 ns, 13.6 ns

零件号别名:  HS8K11