型号: HSBB2627
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：48A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：29W 类型：P沟道
制造商: HUASHUO(华朔)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 48A
栅源极阈值电压: 1V @ 250uA
漏源导通电阻: 9mΩ @ 10A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 29W
类型: P沟道
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：田德光
电话：181-26040415
Q Q:
联系人：蔡先生
电话：13692097183
Q Q:
联系人：刘先生
电话：17727879644
Q Q:
