型号: HSBB8008
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：4.9mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：31W 类型：N沟道
制造商: HUASHUO(华朔)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 50A
栅源极阈值电压: 1V @ 250uA
漏源导通电阻: 4.9mΩ @ 12A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 31W
类型: N沟道
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：唐小姐，朱先生
电话：18802682975
Q Q:
联系人：廖先生
电话：13926543930
Q Q:
联系人：张小姐
电话：13266825878
Q Q:
联系人：李先生
电话：13538015266
Q Q:
联系人：杨经理
电话：13590255841
Q Q:
