型号: HSBG2103
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：0.65A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.0V @ 250uA 漏源导通电阻：520mΩ @ 0.65A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：0.15W 类型：P沟道
制造商: HUASHUO(华朔)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 0.65A
栅源极阈值电压: 1.0V @ 250uA
漏源导通电阻: 520mΩ @ 0.65A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 0.15W
类型: P沟道
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