型号: HSCB3010
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：6.2W 类型：N沟道
制造商: HUASHUO(华朔)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 20A
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 10mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 6.2W
类型: N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：蔡泽锋
电话：13360526935
Q Q:
联系人：高小姐
电话：15815599832
Q Q:
联系人：张先生
电话：13980404046
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：010-62654269
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：13725598398
Q Q:
