型号: HSCC8211
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：13mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.56W 类型：双N沟道（共漏）
制造商: HUASHUO(华朔)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 8A
栅源极阈值电压: 1V @ 250uA
漏源导通电阻: 13mΩ @ 2A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.56W
类型: 双N沟道（共漏）
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