型号: HSG1002VE-TL-E
功能描述: Renesas Electronics America/分立半导体产品
制造商: Renesas Electronics America
标准包装： 10,000
类别： 分立半导体产品
家庭： RF 晶体管（BJT）
系列： -
包装： 带卷（TR）
晶体管类型： NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）： 3.5V
频率 - 跃迁： 38GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）： 0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz
增益： 8dB ~ 19.5dB
功率 - 最大值： 200mW
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 100 @ 5mA，2V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 35mA
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 4-SMD，鸥翼型
供应商器件封装： 4-MFPAK
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