型号: HSH200N02
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：5.0V @ 250uA 漏源导通电阻：33mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200W 类型：N沟道
制造商: HUASHUO(华朔)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 200V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 70A
栅源极阈值电压: 5.0V @ 250uA
漏源导通电阻: 33mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 200W
类型: N沟道
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：吴小姐，曹先生
电话：18207603663
Q Q:
联系人：李小姐
电话：15302619915
Q Q:
联系人：祝小姐
电话：13612861520
Q Q:
联系人：张先生
电话：18126038344
Q Q:
联系人：蔡
电话：13249556623
Q Q:
联系人：蔡先生
电话：18026971147
Q Q:
