型号: HSM0228
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：68mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：双N沟道
制造商: HUASHUO(华朔)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 4A
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 68mΩ @ 4A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.5W
类型: 双N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：吴新
Q Q:
联系人：李军
电话：13818974326
Q Q:
联系人：韦
电话：15177535141
Q Q:
联系人：朱艳芳
电话：13316472769
Q Q:
