型号: HSM3056
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：3.9mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：N沟道
制造商: HUASHUO(华朔)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 20A
栅源极阈值电压: 2.2V @ 250uA
漏源导通电阻: 3.9mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 3.1W
类型: N沟道
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：刘丹
电话：13682527286
Q Q:
联系人：刘工
电话：17827174738
Q Q:
联系人：曾
电话：18968228899
Q Q:
