型号: HSM6115
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：5W 类型：P沟道
制造商: HUASHUO(华朔)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 11A
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 25mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 5W
类型: P沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：小柯
电话：13332931905
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：李经理
电话：18205348101
Q Q:
联系人：沈彩媛
电话：14774981825
Q Q:
联系人：方小姐
电话：13418730030
Q Q:
