型号: HSM9926
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.3W 类型:双N沟道
制造商: HUASHUO(华朔)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): -20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 6A
栅源极阈值电压: 1.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 28mΩ @ 6A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C): 1.3W
类型: 双N沟道
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