型号: HSP6016
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：12mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：86.8W 类型：N沟道
制造商: HUASHUO(华朔)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 60A
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 12mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 86.8W
类型: N沟道
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：王先生
电话：13723777571
Q Q:
联系人：张小姐
电话：18194045272
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：13544084106
Q Q:
