型号: HSS1N20
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.9Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：710mW 类型：N沟道
制造商: HUASHUO(华朔)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 200V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 1A
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 1.9Ω @ 1A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 710mW
类型: N沟道
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：蔡泽锋
电话：13360526935
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：李先生
电话：13986025652
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：江世满
电话：13818326402
Q Q:
联系人：孙
Q Q:
联系人：AlanLee
电话：13530620385
Q Q:
