型号: HSSK6303
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：500mA 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：450mΩ @ 0.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300mW 类型：双N沟道
制造商: HUASHUO(华朔)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 500mA
栅源极阈值电压: 1.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 450mΩ @ 0.5A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 300mW
类型: 双N沟道
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