型号: HSSK6303
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):500mA 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:450mΩ @ 0.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:双N沟道
制造商: HUASHUO(华朔)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): -20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 500mA
栅源极阈值电压: 1.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 450mΩ @ 0.5A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C): 300mW
类型: 双N沟道
联系人:Alien
联系人:李先生
电话:17080955875
联系人:郑小姐
电话:18188616613
联系人:余先生,张先生
电话:13826514222
联系人:张小姐
电话:18688969163
联系人:蔡小姐
电话:13590991023
联系人:蔡泽锋
电话:13360526935
联系人:周泽龙
电话:17318032907
联系人:赵先生
电话:13510106230
联系人:周生
电话:13723730608