型号: HSU80N03
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：115W 类型：N沟道
制造商: HUASHUO(华朔)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 80A
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 6mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 115W
类型: N沟道
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：周
电话：15889597042
Q Q:
联系人：王小康
电话：18188642307
Q Q:
联系人：李
电话：13342919596
Q Q:
联系人：陈济宜
电话：19907205978
Q Q:
联系人：路大为
电话：18701500405
Q Q:
