型号: HSW6811
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.0V @ 250uA 漏源导通电阻：130mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：双P沟道
制造商: HUASHUO(华朔)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 2A
栅源极阈值电压: 1.0V @ 250uA
漏源导通电阻: 130mΩ @ 2A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 1W
类型: 双P沟道
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