型号: HTMN5130SSD-13
功能描述: Diodes Incorporated/分立半导体产品
制造商: Diodes Incorporated
RoHS指令信息: RoHS Cert of Compliance
标准包装: 2,500
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 阵列
系列: -
包装: 带卷(TR)
FET 类型: 2 个 N 沟道(双)
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 2.6A
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 130 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 8.9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 218.7pF @ 25V
功率 - 最大值: 1.7W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SO
其它名称: HTMN5130SSD-13DIHTMN5130SSD-13DI-NDHTMN5130SSD-13DITR
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