型号: HUF75639G3_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 100 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 56 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.025 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 175 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247
封装: Tube
下降时间: 25 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 200 W
上升时间: 60 ns
典型关闭延迟时间: 20 ns
联系人：陈
电话：13603072128
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：赵
电话：13823158773
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：文小姐，米小姐，朱小姐
电话：13590238352
Q Q:
联系人：王志
电话：15818509871
Q Q:
联系人：陈先生
电话：17665206715
Q Q:
联系人：陈阳
电话：13128984988
Q Q:
联系人：林
Q Q:
