型号: HUF75829D3
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 150V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 70nC @ 20V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1080pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 110W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 110 毫欧 @ 18A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-251AA
封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：苏先生
电话：15361668939
Q Q:
联系人：朱晓佳
电话：010-51601589
Q Q:
