型号: HUF76633P3_F085
功能描述: ON Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUF76633P3_F085, 39 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
制造商: ON Semiconductor
通道类型： N
最大连续漏极电流： 39 A
最大漏源电压： 100 V
最大漏源电阻值： 35 m0hms
最大栅阈值电压： 3V
最小栅阈值电压： 1V
最大栅源电压： -16 V、+16 V
封装类型： TO-220AB
安装类型： 通孔
晶体管配置： 单
引脚数目： 3
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 145 W
长度： 10.67mm
每片芯片元件数目： 1
尺寸： 10.67 x 4.7 x 16.3mm
宽度： 4.7mm
系列： UltraFET
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 56 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 1820 pF @ 25 V
典型关断延迟时间： 63 ns
典型接通延迟时间： 7.5 ns
最低工作温度： -55 °C
高度： 16.3mm
最高工作温度： +175 °C
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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