型号: HUFA75321D3
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 44nC @ 20V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 680pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 93W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 36 毫欧 @ 20A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-251AA
封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：董先生
电话：19924492152
Q Q:
联系人：陈
电话：13603072128
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：洪先生
电话：83681378
Q Q:
联系人：雷丽辉
电话：13543309236
Q Q:
联系人：王小姐
电话：18611729779
Q Q:
