型号: HUFA76429D3ST_F085
功能描述: N-Channel 60 V 0.027 O Through Hole Logic Level UltraFET Mosfet - TO-251
制造商: Fairchild / ON Semiconductor
系列： UltraFET™
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 20A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 46nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1480pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±16V
功率耗散（最大值）： 110W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 23 毫欧 @ 20A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
封装形式Package： TO-252AA
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 60V
连续漏极电流ID： 20A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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