型号: HUFA76429D3ST_F085
功能描述: N-Channel 60 V 0.027 O Through Hole Logic Level UltraFET Mosfet - TO-251
制造商: Fairchild / ON Semiconductor
系列: UltraFET™
FET类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 20A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 4.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 46nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 1480pF @ 25V
Vgs(最大值): ±16V
功率耗散(最大值): 110W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 23 毫欧 @ 20A,10V
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
封装形式Package: TO-252AA
极性Polarity: N-CH
漏源极击穿电压VDSS: 60V
连续漏极电流ID: 20A
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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