型号: HUFA76619D3S
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 29nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 767pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 75W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 85 毫欧 @ 18A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： TO-252AA
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：许小姐
Q Q:
联系人：连先生
电话：15920005840
Q Q:
联系人：郑小姐
Q Q:
