型号: HY10P10D
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:225mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):31.3W(Tc) 类型:P沟道
制造商: HUAYI(华羿微)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 10A(Tc)
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 225mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C): 31.3W(Tc)
类型: P沟道
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