型号: HY10P10D
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：225mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：31.3W(Tc) 类型：P沟道
制造商: HUAYI(华羿微)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 10A(Tc)
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 225mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 31.3W(Tc)
类型: P沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：彭先生，许娜
电话：19068068798
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：李兴
电话：15910331599
Q Q:
联系人：杨小姐
电话：13828783931
Q Q:
联系人：汪红兵
电话：18211432408
Q Q:
