型号: HY1904C2
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：65A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W(Tc) 类型：N沟道
制造商: HUAYI(华羿微)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 40V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 65A(Tc)
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 6mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 48W(Tc)
类型: N沟道
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：王俊杰
电话：18818598465
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：刘先生
电话：13724280706
Q Q:
联系人：周志
电话：13524917997
Q Q:
联系人：张S
电话：13430881515
Q Q:
