型号: HYNH55S5162DFR75M
功能描述: DRAM Chip Mobile SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 54-Pin FBGA
制造商: hynix
包装: 54FBGA
类型: Mobile SDRAM
密度: 512 Mb
地址总线宽度: 13 Bit
工作电源电压: 1.8 V
最大时钟频率: 133 MHz
最大随机存取时间: 6 ns
工作温度: -30 to 85 °C
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