型号: HYNH55S5162DFR75M
功能描述: DRAM Chip Mobile SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 54-Pin FBGA
制造商: hynix
包装： 54FBGA
类型： Mobile SDRAM
密度： 512 Mb
地址总线宽度： 13 Bit
工作电源电压： 1.8 V
最大时钟频率： 133 MHz
最大随机存取时间： 6 ns
工作温度： -30 to 85 °C
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