型号: HYNH5MS5162DFRE3M
功能描述: DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 60-Pin FBGA
制造商: hynix
包装： 60FBGA
类型： Mobile-DDR SDRAM
密度： 512 Mb
地址总线宽度： 13 Bit
工作电源电压： 1.8 V
最大时钟频率： 400 MHz
最大随机存取时间： 5 ns
工作温度： -30 to 85 °C
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