型号: IAUA120N04S5N014
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：3.4V @ 60uA 漏源导通电阻：1.4mΩ @ 60A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：136W(Tc) 类型：N沟道
制造商: Infineon(英飞凌)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 40V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 120A(Tc)
栅源极阈值电压: 3.4V @ 60uA
漏源导通电阻: 1.4mΩ @ 60A, 10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 136W(Tc)
类型: N沟道
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：曾先生
电话：13242990037
Q Q:
联系人：唐希
电话：13760227272
Q Q:
联系人：徐文恒
电话：18673875344
Q Q:
