型号: IAUC120N04S6L012
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2V @ 60uA 漏源导通电阻：1.21mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：115W(Tc) 类型：N沟道
制造商: Infineon(英飞凌)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 40V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 120A(Tc)
栅源极阈值电压: 2V @ 60uA
漏源导通电阻: 1.21mΩ @ 60A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 115W(Tc)
类型: N沟道
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