型号:  IAUS200N08S5N023ATMA1

功能描述:  MOSFET OptiMOS -5 Power-Transistor

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  HSOG-8

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  80 V

Id-连续漏极电流:  200 A

Rds On-漏源导通电阻:  3.7 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  110 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  200 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  OptiMOS

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  Infineon Technologies

下降时间:  32 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  11 ns

工厂包装数量:  1800

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  30 ns

典型接通延迟时间:  16 ns

零件号别名:  IAUS200N08S5N023 SP001792362